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用語集

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用語 記号 単位 解説
最大定格--いかなる使用条件でも瞬時たりとも超えてはならない限界値。
動作温度Topr(℃)半導体を動作させているときの周囲温度。
保存温度Tstg(℃)無通電状態で半導体を劣化させない温度。
半田付け温度Tsol(℃)指定時間内で半導体の機能を損なわないハンダ温度。

発光素子(LED)

用語 記号 単位 解説
許容損失P(mW)アノード・カソード間の許容できる電力損失。
順電圧VF(V)アノード・カソード間に順電流を流したときに起こる電圧降下。
順電流IF(mA)アノード・カソード間に流れる順方向電流。
パルス順電流IFP(mA)一定周期でアノード・カソード間に流れる順方向電流。
逆電圧VR(V)アノード・カソード間に加わる逆方向の直流電圧。
逆電流IR (μA)アノード・カソード間に流れる逆方向の直流電流。
放射束Φe (mW)ある面を通る放射エネルギーの時間当りの値。
発光出力Po(mW)放射された光エネルギーの出力値。
ピーク発光波長λp(nm)スペクトル分布において相対放射強度が最大となる波長。
スペクトル半値幅⊿λ(nm)スペクトル分布において相対放射強度が、ピーク値の50%以上になる波長の幅。
指向角半値幅⊿θ(°)指向特性において相対放射強度が、ピーク値の50%以上である角度。

受光素子(PD, PTr)

用語 記号 単位 解説
許容損失 フォトトランジスタPC(mW)コレクタ-エミッタ間の許容できる電力損失(コレクタ損失)。
許容損失 フォトダイオードPD(mW)アノード-カソード間の電力損失。
コレクタ-エミッタ間電圧VCEO(V)ベース端子開放時のコレクタ・エミッタ間の直流電圧。
エミッタ-コレクタ間電圧VECO(V)ベース端子開放時のエミッタ・コレクタ間の直流電圧。
逆電圧VR(V)アノード・カソード間に加わる逆方向の直流電圧。
光電流 フォトトランジスタIC(μA)(mA)コレクタに流れる直流電流。
光電流 フォトダイオードISC(nA)(μA)短絡されたフォトダイオードが光を受けたときに流れる電流。
暗電流 フォトトランジスタICEO(nA)(μA)暗黒中でコレクタ・エミッタ間に電圧をかけたときにコレクタに流れる漏れ電流。
暗電流 フォトダイオードID(nA)(μA)暗黒中でフォトダイオードに逆電圧を加えたときに流れる電流。
照度EV(lx)ある面上に入射する光束の面積密度。
コレクタ-エミッタ間 飽和電圧VCE(sat)(V)飽和状態でのコレクタ・エミッタ間の電圧。
ピーク感度波長λp(nm)分光感度特性において相対感度が最大となる波長。
指向角半値幅⊿θ(°)指向特性で、相対感度が最大値の半分になる角度。
ローレベル出力電圧VOL(V)Lowレベルの出力電流が出力端子に流れたときの電圧。
ハイレベル出力電圧VOH(V)Highレベルの出力電流が出力端子に流れたときの電圧。
ローレベル出力電流IOL(mA)Lowレベルの出力電圧が出力端子に加わったときの出力電流。
ハイレベル出力電流IOH(mA)Highレベルの出力電圧が出力端子に加わったときの出力電流。
ローレベル供給電流ICCL(mA)Lowレベル出力のときに流れる電源電流。
ハイレベル供給電流ICCH(mA)Highレベル出力のときに流れる電源電流。
応答速度 上昇時間tr(ns) (μs)詳細ページの図を参照
応答速度 遅延時間td(ns) (μs)詳細ページの図を参照
応答速度 下降時間tf(ns) (μs)詳細ページの図を参照
応答速度 蓄積時間ts(ns) (μs)詳細ページの図を参照
応答速度 Low→High” 伝搬時間”tPLH(ns) (μs)詳細ページの図を参照
応答速度 High→Low” 伝搬時間”tPHL(ns) (μs)詳細ページの図を参照